Aufladung GaN im REM < Materialwissenschaft < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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| Aufgabe | | Bei Rasterelektronenmikroskopmessungen am Halbleiter Galliumnitrit, der mit 3.4 Elektronenvolt eine sehr große Bandlücke hat, wählt man häufig relativ kleine Beschleunigugnsspannungen für die ankommenden Elektronen (Größenordnung ~ 5keV), damit sich die Probe nicht zu stark aufläd. |
Warum ist die Aufladung einer solchen Probe im REM geringer, wenn die Beschleunigungsspannung geringer ist? (Die Elektronen des REM werden durch eine heiße Kathode über Glühemmision erzeugt). Danke für eure Hilfe !
Ich könnte mir vorstellen, dass bei höhreren Beschleunigungsspannungen, die Eindringtiefe der Elektronen größer ist. Welchen Einfluss das hat, weiß ich aber leider nicht.
Ich habe die Frage in keinem anderen Forum oder sonstwo gestellt.
Danke für Eure Hilfe!
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(Antwort) fertig  | | Datum: | 21:57 Di 17.08.2010 | | Autor: | chrisno |
An der Oberfläche hast Du nicht die gleiche Bandstruktur wie bulk. Wenn die Elektronen mit 5 keV nicht tiefer als so 5-10 Atomlagen eindringen können (ob das so ist, weiß ich nicht), dann finden sie da andere, vermutlich geringere, Bandlücken vor und können abfließen.
Das ist meine spekulative Fortsetzung Deiner Idee.
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(Mitteilung) Reaktion unnötig  | | Datum: | 09:20 Sa 21.08.2010 | | Autor: | matux |
$MATUXTEXT(ueberfaellige_frage)
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